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单片2波长半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1933265B, 申请日期: 2010-05-12, 公开日期: 2010-05-12
发明人:  松木义幸;  万浓正也;  福久敏哉;  鹈饲勉
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008270588A, 申请日期: 2008-11-06, 公开日期: 2008-11-06
发明人:  福久 敏哉;  古川 秀利
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008130876A, 申请日期: 2008-06-05, 公开日期: 2008-06-05
发明人:  福久 敏哉;  古川 秀利
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008072145A, 申请日期: 2008-03-27, 公开日期: 2008-03-27
发明人:  福久 敏哉;  木戸口 勲;  古川 秀利
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半導体レーザ装置の製造方法、および半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008060272A, 申请日期: 2008-03-13, 公开日期: 2008-03-13
发明人:  福久 敏哉;  古川 秀利
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半導体レーザ素子及びその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3971566B2, 申请日期: 2007-06-15, 公开日期: 2007-09-05
发明人:  福久 敏哉
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007142227A, 申请日期: 2007-06-07, 公开日期: 2007-06-07
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007067305A, 申请日期: 2007-03-15, 公开日期: 2007-03-15
发明人:  福久 敏哉;  萬濃 正也;  古川 秀利
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半导体激光器及其制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1302589C, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
发明人:  福久敏哉;  古川秀利
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半导体激光装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1901302A, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
发明人:  福久敏哉;  万浓正也;  古川秀利
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