Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 福久 敏哉 | |
| 2007-06-15 | |
| 专利权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 公开日期 | 2007-09-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 モノリシック型の半導体レーザ素子の特性を向上させる。 【解決手段】 n型GaAs基板10の上に、n型GaAs層よりなる第1のバッファ層11、n型GaInP層よりなるエッチング制御層12、n型GaAs層よりなる第2のバッファ層13、n型AlGaAs層14、GaAs層15及びp型AlGaAs層16を順次成長させた後、第1のバッファ層11が露出するまでウェットエッチングを行なって、第1のn型クラッド層14A、第1の活性層15A及び第1のp型クラッド層16Aよりなる赤外半導体レーザ構造を形成する。次に、n型AlGaInP層17、GaInP層18及びp型AlGaInP層19を順次成長させた後、この積層体をパターニングして、第2のn型クラッド層17A、第2の活性層18A及び第2のp型クラッド層19Aからなる赤色半導体レーザ構造を形成する。 |
| 其他摘要 | 改善单片半导体激光器件的特性。 由n型GaAs层构成的第一缓冲层，n型GaInP层的蚀刻控制层，n型GaAs层的第二缓冲层，依次生长n型AlGaAs层14，GaAs层15和p型AlGaAs层16，然后进行湿法蚀刻直到第一缓冲层11暴露以形成第一n型包覆层14A，第一由此形成包括有源层15A和第一p型包覆层16A的红外半导体激光器结构。接下来，在依次生长n型AlGaInP层17，GaInP层18和p型AlGaInP层19之后，将该层叠体图案化以形成第二n型包覆层17A，第二有源层18A和2个p型包层19 A. |
| 申请日期 | 2000-11-15 |
| 专利号 | JP3971566B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2000347929 |
| 公开（公告）号 | JP3971566B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | G11B7/125 | G11B7/22 | H01L21/306 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 前田 弘 | 小山 廣毅 | 竹内 宏 | 嶋田 高久 | 竹内 祐二 | 今江 克実 | 手島 勝 | 藤田 篤史 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/33705 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP3971566B2[P]. 2007-06-15. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3971566B2.PDF（79KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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