Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 福久 敏哉; 古川 秀利 | |
| 2008-11-06 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2008-11-06 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】n型クラッド層を一部無秩序化してバンドギャップ、ひいては屈折率の変動を抑制し、安定した拡がり角が得られる半導体レーザを実現する。 【解決手段】基板101上に、n型クラッド層102,103と活性層104とp型クラッド層105とを設け、n型クラッド層102,103における第一n型クラッド層102にドーパントとしてSiとZnとを含ませ、かつ第一n型クラッド層102の厚さを0.1μm以上とし、かつ活性層104の中心から第一n型クラッド層102までの最短距離を0.5μm以下とし、かつ基板101の基板傾斜角度を0°〜15°とする。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供能够使n型包层部分无序化的半导体激光器，抑制带隙的波动，从而抑制折射率，并获得稳定的扩散角。 ŽSOLUTION：n型覆层102和103，有源层104和p型覆层105设置在基板101上，Si和Zn作为掺杂剂包含在n中的第一n型覆层102中类型的包覆层102和103，第一n型覆盖层102的厚度也设定为0.1μm或更大，设定从有源层104的中心到第一n型覆盖层102的最短距离。如果为0.5μm以下，则基板101的基板倾斜角度设定为0°~15°。 Ž |
| 申请日期 | 2007-04-23 |
| 专利号 | JP2008270588A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007112702 |
| 公开（公告）号 | JP2008270588A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 村山 光威 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84621 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,古川 秀利. 半導体レーザ. JP2008270588A[P]. 2008-11-06. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008270588A.PDF（56KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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