Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ装置 | |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 福久 敏哉; 木戸口 勲; 古川 秀利 | |
| 2008-03-27 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2008-03-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】良化現象を抑え、歩留よくかつ生産性の高い自励発振型レーザや高出力レーザの構造を提供する。 【解決手段】n型のGaAs基板(301)上に、n型クラッド層(308、302)と活性層(309、303)とp型クラッド層(310、304)を含む発振波長が630nm以上690nm以下であるレーザと、発振波長が760nm以上810nm以下であるレーザとが形成されている二波長半導体レーザであって、GaAs基板のキャリア濃度が1×1018cm-3以下である。 【選択図】図4 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供自振荡激光器和高功率激光器的结构，由此抑制改善现象，并且实现良好的产量和高生产率。解决方案：双波半导体激光器由振荡波长不小于630nm且不大于690nm的激光器和振荡波长不小于760nm且大于810nm的激光器形成，其中在n型GaAs衬底（301）上分别包括n型覆层（308,302），有源层（309,303）和p型覆层（310,304）。GaAs衬底的载流子浓度为1×10×18 cm |
| 申请日期 | 2007-12-03 |
| 专利号 | JP2008072145A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007311988 |
| 公开（公告）号 | JP2008072145A |
| IPC 分类号 | H01S5/227 | H01S5/22 | H01S5/065 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | 特許業務法人池内·佐藤アンドパートナーズ |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/84253 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,木戸口 勲,古川 秀利. 半導体レーザ装置. JP2008072145A[P]. 2008-03-27. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008072145A.PDF（74KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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