Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 福久 敏哉; 古川 秀利 | |
| 2008-06-05 | |
| 专利权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 公开日期 | 2008-06-05 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】リッジ構造を改良し、半導体レーザにおいて高出力化と偏光比改善とを可能にする。 【解決手段】半導体レーザ100の光出射面に近い領域(図1(b)の左図)のリッジ部108の高さを、その他の領域(図1(b)の右図)のリッジ部108の高さより低くする。このように、光出射端近傍のリッジ部108の高さを低くすることにより、低導波損失を維持しつつ、リッジ部108に加わる応力の影響を小さくすることができ、高出力化と偏光比改善との両立が可能となる。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过改变脊结构，实现半导体激光器的极化率的高输出和改善。 ŽSOLUTION：半导体激光器100的发光表面附近的区域（图1（b），左图）的脊部108的高度低于其他区域的脊部108的高度。 （图1（b）中的右侧图）。在发光边缘附近的脊部108的高度的降低允许施加到脊部108的应力的影响小，保持波导中的损耗小，并且高输出和极化比的改善变为兼容。 Ž |
| 申请日期 | 2006-11-22 |
| 专利号 | JP2008130876A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2006315295 |
| 公开（公告）号 | JP2008130876A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 村山 光威 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89258 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,古川 秀利. 半導体レーザ. JP2008130876A[P]. 2008-06-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2008130876A.PDF（67KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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