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片上集成半导体激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109586159A, 申请日期: 2019-04-05, 公开日期: 2019-04-05
发明人:  杨成奥;  牛智川;  张宇;  徐应强;  谢圣文;  张一;  尚金铭
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Sulfide treatment passivation of mid-/long-wave dual-color infrared detectors based on type-II InAs/GaSb superlattices 期刊论文
OPTICAL AND QUANTUM ELECTRONICS, 2019, 卷号: 51, 期号: 3
作者:  Guo, Chunyan;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Dual-color infrared detectors  InAs  GaSb superlattices  Molecular beam epitaxy  Sulfide treatment passivation  
基于数字合金势垒的量子阱结构、外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109217109A, 申请日期: 2019-01-15, 公开日期: 2019-01-15
发明人:  谢圣文;  牛智川;  张宇;  徐应强;  邵福会;  杨成奥;  张一;  尚金铭;  黄书山;  袁野;  苏向斌
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渐变掺杂宽波导带间级联激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109149368A, 申请日期: 2019-01-04, 公开日期: 2019-01-04
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
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Wide spectrum responsivity detectors from visible to mid-infrared based on antimonide 期刊论文
Infrared Physics and Technology, 2019, 卷号: 96, 页码: 1-6
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Qingxuan;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Antimonide-based visible to short wavelength infrared bispectral photodetector 会议论文
Integrated Optics: Design, Devices, Systems, and Applications V, Prague, Czech republic, 2019-04-01
作者:  Guo, Chunyan;  Ding, Ying;  Wasige, Edward;  Jia, Qingxuan;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Niu, Zhichuan;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin
Adobe PDF(1483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：207/5  |  提交时间：2019/08/19
photon traps  antireflection films  antimonide  visible to short wavelength infrared  bispectral photodetector  
中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11
发明人:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥;  谢圣文;  邵福会;  尚金铭
Adobe PDF(678Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：177/0  |  提交时间：2020/01/18
Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Zhe;  Jiang, Zhi;  Lv, Yuexi;  Hao, Hongyue;  Han, Xi;  Dong, Yinan;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
Adobe PDF(2647Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：227/7  |  提交时间：2018/12/12
Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps  
Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent  
单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106953235A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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