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单模GaSb基半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106953235A, 申请日期: 2017-07-14, 公开日期: 2017-07-14
发明人:  杨成奥;  张宇;  廖永平;  徐应强;  牛智川
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一种大功率8‑4μm半导体激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106300015A, 申请日期: 2017-01-04, 公开日期: 2017-01-04
发明人:  廖永平;  张宇;  魏思航;  郝宏玥;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(131Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18