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半导体发光元件以及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101772846A, 申请日期: 2010-07-07, 公开日期: 2010-07-07
发明人:  市原隆志;  吉田裕史;  山田孝夫;  若井阳平
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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1253948C, 申请日期: 2006-04-26, 公开日期: 2006-04-26
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3617565B2, 申请日期: 2004-11-19, 公开日期: 2005-02-09
发明人:  山田 孝夫;  中村 修二
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ＧａＮ系半導体レーザ装置及び該レーザ装置を用いた光ディスク情報システム 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JPWO2003005515A1, 申请日期: 2004-10-28, 公开日期: 2004-10-28
发明人:  山田 孝夫
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半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2004221577A, 申请日期: 2004-08-05, 公开日期: 2004-08-05
发明人:  稲垣 祐一;  松下 俊雄;  山田 孝夫
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3523700B2, 申请日期: 2004-02-20, 公开日期: 2004-04-26
发明人:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3431389B2, 申请日期: 2003-05-23, 公开日期: 2003-07-28
发明人:  妹尾 雅之;  山田 孝夫;  中村 修二
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3334624B2, 申请日期: 2002-08-02, 公开日期: 2002-10-15
发明人:  山田 孝夫;  中村 修二
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窒化物半導体レーザダイオード 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3309953B2, 申请日期: 2002-05-24, 公开日期: 2002-07-29
发明人:  山田 孝夫;  中村 修二
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