Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 | |
| 其他题名 | 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件 |
| 中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治 | |
| 2006-04-26 | |
| 专利权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 公开日期 | 2006-04-26 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。 |
| 其他摘要 | 一种氮化镓系III-V族化合物半导体器件，包括：具有第一和第二主表面的衬底；形成在所述衬底的第一主表面上、包括n型氮化镓系III-V族化合物半导体层和p型氮化镓系III-V族化合物半导体层的半导体叠层结构；在除去设置在所述n型半导体层上的p型层后露出的n型层上形成的第一电极；形成在所述p型半导体层上的透光性的第二电极，以及覆盖住一部分所述第二电极表面、一部分露出的端面和一部分露出的n型半导体层表面的绝缘的透明保护膜。 |
| 申请日期 | 1994-04-28 |
| 专利号 | CN1253948C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03145868.8 |
| 公开（公告）号 | CN1253948C |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01L21/00 | H01L21/285 | H01L29/20 | H01L29/72 | H01L33/32 | H01L33/38 | H01L33/40 | H01L33/42 | H01L33/44 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 王以平 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48031 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村修二,山田孝夫,妹尾雅之,等. 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件. CN1253948C[P]. 2006-04-26. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1253948C.PDF（1718KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [中村修二]的文章 |
| [山田孝夫]的文章 |
| [妹尾雅之]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [中村修二]的文章 |
| [山田孝夫]的文章 |
| [妹尾雅之]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [中村修二]的文章 |
| [山田孝夫]的文章 |
| [妹尾雅之]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论