Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法 | |
其他题名 | 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法 |
稲垣 祐一; 松下 俊雄; 山田 孝夫 | |
2004-08-05 | |
专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
公开日期 | 2004-08-05 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 【課題】 新規な半導体レーザ素子また、非ガウシアン分布である半導体レーザ素子の新規な結合効率を求める方法、さらには非ガウシアン分布である半導体レーザ素子とレーザ光を受光する受光部とを歩留良く結合させる方法を提供する。 【解決手段】 遠視野像測定装置などの比較的容易に半導体レーザ素子の特性が測定できる装置を用い、半導体レーザ素子から出されるレーザ光の光強度および、半導体レーザ素子と結合させる受光部における受光部を通過する光強度のそれぞれをドット状に算出し、結合効率を求める。 【選択図】 図5 |
其他摘要 | 要解决的问题:提供一种新的半导体激光器件,以及一种非高斯分布的半导体激光器件的新耦合效率的确定方法,还有一种耦合非高斯半导体激光器件的方法具有光接收部分的轮廓以高产率接收激光束。解决方案:通过使用诸如a的设备分别计算从半导体器件发射的激光束的强度和通过与半导体激光器件耦合的光接收部分的点的强度来确定耦合效率。可以相对容易地测量半导体激光器件的特性的远场图案测量装置等。Ž |
主权项 | - |
申请日期 | 2004-01-05 |
专利号 | JP2004221577A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2004000002 |
公开(公告)号 | JP2004221577A |
IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/51406 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 稲垣 祐一,松下 俊雄,山田 孝夫. 半導体レーザ素子および半導体レーザ素子の結合効率測定方法ならびに半導体レーザ素子の結合方法. JP2004221577A[P]. 2004-08-05. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2004221577A.PDF(117KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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