Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 山田 孝夫; 中村 修二 | |
| 2004-11-19 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2005-02-09 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザチップをヒートシンク、サブマウント等にボンディングするにあたり、主として、チップの放熱が十分に行われるレーザ素子の新規な構造を提供して、素子寿命を向上させ、連続発振できるようにすると共に、レーザ素子の信頼性を向上させる。 【構成】 同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることにより、金属製の支持体を用いることができるため、放熱性が高まる。 |
| 其他摘要 | 本发明的一个目的是提供一种激光元件的新颖结构，其中当将由氮化物半导体制成的激光器芯片接合到散热器，子安装座等时，充分地执行芯片的散热，从而改善器件寿命，并提高激光元件的可靠性。 在同一侧具有一对正极和负极的激光芯片以面朝下的方式粘合到支撑体上，其中在支撑体的表面上形成绝缘膜，由于在膜的表面上形成引线电极并且激光芯片的至少一个电极与引线电极接合，因此可以使用金属支撑体，从而提高散热性。 |
| 授权日期 | 2004-11-19 |
| 申请日期 | 1996-02-16 |
| 专利号 | JP3617565B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996028840 |
| 公开（公告）号 | JP3617565B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S | H01S3/04 | H01S5/323 | H01S5/024 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/35122 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3617565B2[P]. 2004-11-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3617565B2.PDF（65KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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