氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法

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	氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
其他题名	氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
	中村修二; 山田孝夫; 妹尾雅之; 山田元量; 板东完治
	2006-10-11
专利权人	日亚化学工业株式会社
公开日期	2006-10-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。
其他摘要	本发明提供了一种氮化镓系III－V族化合物半导体器件的制造方法，该半导体器件具有形成在具有第一和第二主表面的衬底的第一主表面之上、含有n型氮化镓系III－V族化合物半导体层和p型氮化镓系III－V族化合物半导体层的半导体叠层结构，其中，所述制造方法包括下列步骤：形成所述半导体叠层结构的步骤；第二电极材料形成步骤，用于在所述p型半导体层上形成包含从铬、镍、金、钛、铂构成的一组材料中选出的至少两种材料的电极材料；以及热处理退火步骤，通过对所述第二电极材料和所述半导体叠层结构进行热处理，降低第二电极的接触电阻。
申请日期	1994-04-28
专利号	CN1845346A
专利状态	失效
申请号	CN200510128773.9
公开（公告）号	CN1845346A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L21/28 \| H01S5/00 \| G02F1/1343 \| H01L21/324 \| H01L29/43 \| H01L33/12 \| H01L33/32 \| H01L33/42 \| H01L33/60 \| H01L33/62
专利代理人	王以平
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90795
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亚化学工业株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	中村修二,山田孝夫,妹尾雅之,等. 氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法. CN1845346A[P]. 2006-10-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1845346A.PDF（1735KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文