Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 妹尾 雅之; 山田 孝夫; 中村 修二 | |
| 2003-05-23 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2003-07-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。 【構成】 基板上部に形成されたInGaNを含む活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有するn型若しくはp型のクラッド層とを有することにより、リッジの下の活性層に光を集中させて、レーザ素子の閾値電流を低下させる。 |
| 其他摘要 | [目的]通过降低由氮化物半导体制成的激光元件的阈值电流来实现能够在室温下连续振荡的元件。 包括形成在基板上的InGaN的有源层和形成在有源层上的具有脊形条纹的n型或p型包层设置在脊下的有源层中从而集中光并降低激光元件的阈值电流。 |
| 申请日期 | 1996-03-25 |
| 专利号 | JP3431389B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1996067632 |
| 公开（公告）号 | JP3431389B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 青山 葆 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/83879 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 妹尾 雅之,山田 孝夫,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3431389B2[P]. 2003-05-23. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3431389B2.PDF（234KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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