窒化物半導体レーザ素子

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	窒化物半導体レーザ素子
其他题名	窒化物半導体レーザ素子
	山田孝夫; 中村修二
	2002-08-02
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2002-10-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】レーザ光のアスペクト比を約0〜3.0と円形に近い形状にし、レーザ光を用いた製品の作製にあたって、レーザビームの絞りやレンズ設計が容易となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 p側及びn側のクラッド層12、7の間に、活性層9を含む導波路領域を有し、p側クラッド層12の上にp側コンタクト層13が積層されてなり、p側コンタクト層13側からp側クラッド層12と導波路領域との界面よりも基板1側にかけてエッチングして形成された幅0.5〜2.0μmのリッジ形状のストライプを有し、ストライプの両側面及びその側面と連続した窒化物半導体層の平面に、屈折率が活性層の屈折率より小さい値を有する絶縁膜を有し、ストライプの最上層にあるp側コンタクト層13の表面全面に接するようにp電極20が設けられている。
其他摘要	要解决的问题：提供一种氮化物半导体激光器元件，通过将激光束成形为具有约0至10的圆形横截面，可以容易地使用激光束制造激光束变窄和透镜设计。 3.0宽高比。解决方案：氮化物半导体激光元件具有在p侧和n侧包层12和7之间包含有源层9的波导区域，层叠在p侧包层12上的p侧接触层13和脊形条纹是通过从包层12和波导区域之间的边界将层从接触层13蚀刻到基板侧而形成的，并且具有0.5-2.0μm的宽度。激光元件还具有绝缘膜，该绝缘膜的折射率小于在侧面和p电极20连续形成的氮化物半导体层的条纹和平坦表面的两个侧面上的有源层9的折射率，形成为使得电极20与条带的最上面的p侧接触层13的整个表面接触。
申请日期	1998-06-19
专利号	JP3334624B2
专利状态	失效
申请号	JP1998173643
公开（公告）号	JP3334624B2
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74776
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	山田孝夫,中村修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP3334624B2[P]. 2002-08-02.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3334624B2.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文