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半導体レーザーの位置決め部材及び光学ユニット 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2014138116A, 申请日期: 2014-07-28, 公开日期: 2014-07-28
发明人:  滝口 幹夫;  大野 智輝
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4678805B2, 申请日期: 2011-02-10, 公开日期: 2011-04-27
发明人:  大野 智輝;  伊藤 茂稔
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半導体レーザ 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2009146920A, 申请日期: 2009-07-02, 公开日期: 2009-07-02
发明人:  大野 智輝
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レーザ素子および光記録再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007329487A, 申请日期: 2007-12-20, 公开日期: 2007-12-20
发明人:  大野 智輝;  伊藤 茂稔
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GaN系レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2006352159A, 申请日期: 2006-12-28, 公开日期: 2006-12-28
发明人:  近江 晋;  伊藤 茂稔;  大野 智輝;  川上 俊之
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窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2003198065A, 申请日期: 2003-07-11, 公开日期: 2003-07-11
发明人:  大野 智輝;  伊藤 茂稔
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