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窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置
其他题名窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置
大野 智輝; 伊藤 茂稔
2003-07-11
专利权人シャープ株式会社
公开日期2003-07-11
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要【課題】 自然放出光の少ない窒化物半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 活性層で生成されるレーザ光の波長を含む波長範囲の光を吸収する特性を有する光吸収部を、素子内の電流路のうち活性層における光の共振方向に対して垂直な方向に狭窄している部分から僅かに離間するように設けて、活性層からあらゆる方向に出る自然放出光の一部を光吸収部によって吸収する。
其他摘要要解决的问题:为氮化物半导体激光器元件提供少量的自发发射光。ŽSOLUTION:具有吸收包括在有源层中产生的激光波长的波长范围内的光的特性的光学吸收被布置成在电流路径中的有源层中的光的谐振方向上与垂直方向上的窄部分略微分离。在一个元素。结果,从有源层沿任何方向发射的自发发射光的一部分被光学吸收器吸收。Ž
主权项-
申请日期2001-12-26
专利号JP2003198065A
专利状态授权
申请号JP2001393297
公开(公告)号JP2003198065A
IPC 分类号H01S5/22 | H01S5/323 | H01S5/343 | G11B7/125
专利代理人佐野 静夫
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/60776
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大野 智輝,伊藤 茂稔. 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置. JP2003198065A[P]. 2003-07-11.
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JP2003198065A.PDF(66KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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