Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
レーザ素子および光記録再生装置 | |
其他题名 | レーザ素子および光記録再生装置 |
大野 智輝; 伊藤 茂稔 | |
2007-12-20 | |
专利权人 | シャープ株式会社 |
公开日期 | 2007-12-20 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | (修正有) 【課題】自然放出光の少ない窒化物半導体レーザ素子の提供。 【解決手段】基板と、基板の上面に形成された、活性層を含みストライプ状のリッジ構造を有する半導体と、前記半導体の上方に設けられた光吸収部を備え、レーザ光の発振方向が前記リッジ構造のストライプ方向であるレーザ素子であって、前記光吸収部は、前記リッジ構造の下端から横方向に前記レーザ光の基本モード又は高次モードを吸収しない程度に離間して設けられ、前記レーザ光の波長を含む波長範囲における光を吸収する特性を有し、前記半導体の屈折率よりも小さい屈折率を有する金属又は半導体からなるようにする。 【選択図】図1 |
其他摘要 | (经修改) 要解决的问题:提供具有较少自发发射光的氮化物半导体激光器件。 一种半导体,具有条形脊结构,包括有源层并形成在基板的上表面上;以及光吸收部分,设置在半导体上方,其中激光的振荡方向是其中,光吸收部分在横向上与脊结构的下端隔开,以便不吸收激光的基模或高阶模,并且具有吸收包括激光波长的波长范围内的光的特性,并且由折射率小于半导体的折射率的金属或半导体制成。 点域1 |
主权项 | - |
申请日期 | 2007-06-25 |
专利号 | JP2007329487A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP2007165831 |
公开(公告)号 | JP2007329487A |
IPC 分类号 | G11B7/125 | H01S | H01S5/22 | G11B |
专利代理人 | 小池 隆彌 | 田畑 昌男 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61433 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | シャープ株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝,伊藤 茂稔. レーザ素子および光記録再生装置. JP2007329487A[P]. 2007-12-20. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP2007329487A.PDF(103KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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