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レーザ素子および光記録再生装置
其他题名レーザ素子および光記録再生装置
大野 智輝; 伊藤 茂稔
2007-12-20
专利权人シャープ株式会社
公开日期2007-12-20
授权国家日本
专利类型发明申请
摘要(修正有) 【課題】自然放出光の少ない窒化物半導体レーザ素子の提供。 【解決手段】基板と、基板の上面に形成された、活性層を含みストライプ状のリッジ構造を有する半導体と、前記半導体の上方に設けられた光吸収部を備え、レーザ光の発振方向が前記リッジ構造のストライプ方向であるレーザ素子であって、前記光吸収部は、前記リッジ構造の下端から横方向に前記レーザ光の基本モード又は高次モードを吸収しない程度に離間して設けられ、前記レーザ光の波長を含む波長範囲における光を吸収する特性を有し、前記半導体の屈折率よりも小さい屈折率を有する金属又は半導体からなるようにする。 【選択図】図1
其他摘要(经修改) 要解决的问题:提供具有较少自发发射光的氮化物半导体激光器件。 一种半导体,具有条形脊结构,包括有源层并形成在基板的上表面上;以及光吸收部分,设置在半导体上方,其中激光的振荡方向是其中,光吸收部分在横向上与脊结构的下端隔开,以便不吸收激光的基模或高阶模,并且具有吸收包括激光波长的波长范围内的光的特性,并且由折射率小于半导体的折射率的金属或半导体制成。 点域1
主权项-
申请日期2007-06-25
专利号JP2007329487A
专利状态失效
申请号JP2007165831
公开(公告)号JP2007329487A
IPC 分类号G11B7/125 | H01S | H01S5/22 | G11B
专利代理人小池 隆彌 | 田畑 昌男
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/61433
专题半导体激光器专利数据库
作者单位シャープ株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
大野 智輝,伊藤 茂稔. レーザ素子および光記録再生装置. JP2007329487A[P]. 2007-12-20.
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JP2007329487A.PDF(103KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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