Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザ | |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 大野 智輝 | |
| 2009-07-02 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 2009-07-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】COD値の向上と、吸収損失の増大の抑制とを両立させることの可能な半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10上に、バッファ層11、下部クラッド層12、下部ガイド層13、活性層14、上部ガイド層15、上部クラッド層16A、ストップ層17、上部クラッド層16B、中間層18およびコンタクト層19を備える。上部クラッド層16B、中間層18およびコンタクト層19がリッジ部20を構成し、リッジ部20の両端に前端面S1,後端面S2を有する。前端面S1,後端面S2のうち少なくとも一方の端面およびその近傍に、活性層14の発光波長に相当するエネルギーよりも大きなバンドギャップを有する不純物拡散領域30を有し、少なくともリッジ部20の幅方向の両端部との対向領域に、リッジ部20の上面から少なくとも活性層14にまで達する峰31を有している。 【選択図】図2 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供能够兼容地改善COD值并且能够抑制吸收损失增加的半导体激光器。ŽSOLUTION：半导体激光器在基板10上包括缓冲层11，下包层12，下引导层13，有源层14，上引导层15，上包层16A，停止层17上包层16B，中间层18和接触层19.上包层16B，中间层18和接触层19构成脊部20.半导体激光器具有前端表面S1和后部。半导体层具有：杂质扩散区30，其带隙大于对应于有源层14的发光波长的能量，至少在其上一个上并且在其附近。前端面S1和后端面S2;从脊部20的顶面延伸到至少有源层14的峰31，至少在与脊部20的宽度方向端部相对的区域中。 |
| 申请日期 | 2007-12-11 |
| 专利号 | JP2009146920A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP2007319314 |
| 公开（公告）号 | JP2009146920A |
| IPC 分类号 | H01S5/22 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 藤島 洋一郎 | 三反崎 泰司 | 長谷部 政男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/79424 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大野 智輝. 半導体レーザ. JP2009146920A[P]. 2009-07-02. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009146920A.PDF（285KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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