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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| GaN基激光器和超辐射发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106711764B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 杨辉; 池田昌夫; 刘建平; 张书明; 李德尧; 张立群
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| 一种低电阻、低热阻的氮化物半导体微腔激光器结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108718030A, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2018-10-30
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| 氮化物半导体发光器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN108305918A, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2018-07-20
发明人: 孙钱; 冯美鑫; 周宇; 高宏伟; 杨辉
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| 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106898948A, 申请日期: 2017-06-27, 公开日期: 2017-06-27
发明人: 高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平; 孙钱; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
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| 半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785912A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
发明人: 程洋; 刘建平; 田爱琴; 冯美鑫; 张峰; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
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| GaN基半导体器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684213A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
发明人: 严威; 孙逸; 冯美鑫; 周宇; 孙钱; 杨辉
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| 真空解理系统及解理半导体芯片的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN103219644B, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2015-08-05
发明人: 吴燕华; 刘德利; 冯美鑫; 曾中明; 张宝顺; 杨辉
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| 半导体激光二极管及其封装方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104426050A, 申请日期: 2015-03-18, 公开日期: 2015-03-18
发明人: 周坤; 李德尧; 张书明; 刘建平; 张立群; 冯美鑫; 李增成; 王怀兵; 杨辉
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| 一种氮化物半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102570308A, 申请日期: 2012-07-11, 公开日期: 2012-07-11
发明人: 冯美鑫; 张书明; 刘建平; 李增成; 杨辉
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