中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
半导体激光二极管及其封装方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104426050A, 申请日期: 2015-03-18, 公开日期: 2015-03-18
发明人:  周坤;  李德尧;  张书明;  刘建平;  张立群;  冯美鑫;  李增成;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2020/01/18
一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104409319A, 申请日期: 2015-03-11, 公开日期: 2015-03-11
发明人:  南琦;  王怀兵;  王辉;  吴岳;  傅华
Adobe PDF(825Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18
利用具原子台阶衬底制备的InGaN量子点外延片及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103296168A, 申请日期: 2013-09-11, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  王怀兵;  王辉;  黄强
Adobe PDF(1579Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18
一种氮化镓基激光器管芯的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102545051A, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  张书明;  王辉;  刘建平;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(399Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299482A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  曾畅;  张书明;  刘建平;  王辉;  冯美鑫;  李增成;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(639Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2020/01/18
半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299480A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(724Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/12/31
F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102299479A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(359Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：204/0  |  提交时间：2019/12/31
半导体激光器TO封装结构及方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102290704A, 公开日期: 2011-12-21
发明人:  冯美鑫;  张书明;  王辉;  刘建平;  曾畅;  李增成;  王怀兵;  杨辉
Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/26