一种氮化物半导体激光器

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	一种氮化物半导体激光器
其他题名	一种氮化物半导体激光器
	冯美鑫; 张书明; 刘建平; 李增成; 杨辉
	2012-07-11
专利权人	苏州纳睿光电有限公司
公开日期	2012-07-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡层之间的应力，从而避免解理时出现凹凸不平的台阶；同时本发明的氮化物激光器可以增强激光器的光学限制因子，从而有效地提升激光器的性能，取得了显着的效果。
其他摘要	本发明公开了一种氮化物半导体激光器，从下至上依次包括GaN衬底，n-GaN层，n-AlGaN/GaN超晶格限制层，下InxGa1-xN渐变波导层，InGaN/GaN多量子阱有源区，上InyGa1-yN渐变波导层，p-AlGaN电子阻挡层，p-AlGaN/GaN超晶格限制层，p-GaN接触层；所述下InxGa1-xN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层中，从下至上In组分含量逐渐减少。本发明的氮化物半导体激光器可以有效地减少上InGaN波导层与p-AlGaN电子阻挡层之间的应力，从而避免解理时出现凹凸不平的台阶；同时本发明的氮化物激光器可以增强激光器的光学限制因子，从而有效地提升激光器的性能，取得了显着的效果。
主权项	一种氮化物半导体激光器，其特征在于，从下至上依次包括GaN衬底(1)，n-GaN层(2)，n-AlGaN/GaN超晶格限制层(3)，下InxGa1-xN渐变波导层(4b)，InGaN/GaN多量子阱有源区(5)，上InyGa1-yN渐变波导层(6b)，p-AlGaN电子阻挡层(7)，p-AlGaN/GaN超晶格限制层(8)，p-GaN接触层(9)；所述下InxGa1-xN渐变波导层(4b)中，从下至上In组分含量逐渐增加；所述上InyGa1-yN渐变波导层(6b)中，从下至上In组分含量逐渐减少。
申请日期	2012-01-16
专利号	CN102570308A
专利状态	失效
申请号	CN201210012564
公开（公告）号	CN102570308A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/20
专利代理人	陶海锋 \| 陆金星
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63720
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州纳睿光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	冯美鑫,张书明,刘建平,等. 一种氮化物半导体激光器. CN102570308A[P]. 2012-07-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102570308A.PDF（302KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文