Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半导体激光器及其制作方法 | |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制作方法 |
| 程洋; 刘建平; 田爱琴; 冯美鑫; 张峰; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 | |
| 2017-05-31 | |
| 专利权人 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 公开日期 | 2017-05-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激光器通过在下波导层与量子阱有源区之间制备空穴阻挡层，从而有效阻挡了空穴从量子阱有源区向下波导层、下限制层的N型区一侧泄露，提高了载流子的注入效率，从而提升了该半导体激光器的性能。本发明还公开了上述半导体激光器的制作方法。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种半导体激光器，其包括衬底以及在所述衬底上依次叠层设置的下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层以及上限制层；该半导体激光器还包括夹设于所述下波导层与所述量子阱有源区之间的空穴阻挡层。根据本发明的半导体激光器通过在下波导层与量子阱有源区之间制备空穴阻挡层，从而有效阻挡了空穴从量子阱有源区向下波导层、下限制层的N型区一侧泄露，提高了载流子的注入效率，从而提升了该半导体激光器的性能。本发明还公开了上述半导体激光器的制作方法。 |
| 申请日期 | 2016-05-26 |
| 专利号 | CN106785912A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | CN201610363086.3 |
| 公开（公告）号 | CN106785912A |
| IPC 分类号 | H01S5/30 | H01S5/34 |
| 专利代理人 | 孙伟峰 |
| 代理机构 | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91192 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 杭州增益光电科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 程洋,刘建平,田爱琴,等. 半导体激光器及其制作方法. CN106785912A[P]. 2017-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106785912A.PDF（168KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [程洋]的文章 |
| [刘建平]的文章 |
| [田爱琴]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [程洋]的文章 |
| [刘建平]的文章 |
| [田爱琴]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [程洋]的文章 |
| [刘建平]的文章 |
| [田爱琴]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论