超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法

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	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法
其他题名	超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法
	高雪; 周坤; 孙逸; 冯美鑫; 刘建平; 孙钱; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉
	2017-06-27
专利权人	杭州增益光电科技有限公司
公开日期	2017-06-27
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法。所述外延结构包括从下到上依次设置的Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN波导层、n型AlGaN层、n型或i型InGaN下波导层、有源区、p型或i型InGaN上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN上光学限制层、p型或n型GaN或InGaN接触层。优选的，所述有源区采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子点有源区。所述GaN波导层的厚度与所述超辐射发光二极管或激光器的脊形条宽相当。藉由本发明的所述外延结构，注入的载流子可以被有效的限制在很薄的有源区中，其复合产生的光强能够从有源区扩展到第一波导结构中，而因其中的GaN波导层较厚，该波导结构可以显著提高超辐射发光二极管、激光器的光束质量。
其他摘要	本发明公开了一种超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法。所述外延结构包括从下到上依次设置的Si衬底、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN波导层、n型AlGaN层、n型或i型InGaN下波导层、有源区、p型或i型InGaN上波导层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN上光学限制层、p型或n型GaN或InGaN接触层。优选的，所述有源区采用i型InGaN/GaN多量子阱或量子点有源区。所述GaN波导层的厚度与所述超辐射发光二极管或激光器的脊形条宽相当。藉由本发明的所述外延结构，注入的载流子可以被有效的限制在很薄的有源区中，其复合产生的光强能够从有源区扩展到第一波导结构中，而因其中的GaN波导层较厚，该波导结构可以显著提高超辐射发光二极管、激光器的光束质量。
申请日期	2015-12-17
专利号	CN106898948A
专利状态	授权
申请号	CN201510953170.6
公开（公告）号	CN106898948A
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	王锋
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/89934
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	杭州增益光电科技有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	高雪,周坤,孙逸,等. 超辐射发光二极管或激光器外延结构及其制备方法. CN106898948A[P]. 2017-06-27.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN106898948A.PDF（84KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文