真空解理系统及解理半导体芯片的方法

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	真空解理系统及解理半导体芯片的方法
其他题名	真空解理系统及解理半导体芯片的方法
	吴燕华; 刘德利; 冯美鑫; 曾中明; 张宝顺; 杨辉
	2015-08-05
专利权人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
公开日期	2015-08-05
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。
其他摘要	本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。
申请日期	2013-03-25
专利号	CN103219644B
专利状态	授权
申请号	CN201310097644.2
公开（公告）号	CN103219644B
IPC 分类号	H01S5/02
专利代理人	杨林 \| 马翠平
代理机构	深圳市铭粤知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48234
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	吴燕华,刘德利,冯美鑫,等. 真空解理系统及解理半导体芯片的方法. CN103219644B[P]. 2015-08-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103219644B.PDF（1708KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文