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在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102099976B, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  D·A·科恩;  S·P·邓巴尔思;  中村修二
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在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102099976B, 申请日期: 2013-06-12, 公开日期: 2013-06-12
发明人:  D·A·科恩;  S·P·邓巴尔思;  中村修二
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用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102473799A, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2012-05-23
发明人:  罗伯特·M·法雷尔;  马修·T·哈迪;  太田裕朗;  斯蒂芬·P·登巴尔斯;  詹姆斯·S·斯佩克;  中村修二
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窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4625998B2, 申请日期: 2010-11-19, 公开日期: 2011-02-02
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
Adobe PDF(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2020/01/18
窒化物半導体レーザ素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4457417B2, 申请日期: 2010-02-19, 公开日期: 2010-04-28
发明人:  川野 義弘;  中村 修二
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氮化物半导体衬底及器件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
发明人:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸
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窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4043087B2, 申请日期: 2007-11-22, 公开日期: 2008-02-06
发明人:  小崎 徳也;  中村 修二
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窒化物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4028635B2, 申请日期: 2007-10-19, 公开日期: 2007-12-26
发明人:  長濱 慎一;  中村 修二
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氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1845346A, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2006-10-11
发明人:  中村修二;  山田孝夫;  妹尾雅之;  山田元量;  板东完治
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窒化物半導体素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3857417B2, 申请日期: 2006-09-22, 公开日期: 2006-12-13
发明人:  長濱 慎一;  中村 修二
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