用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构

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	用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构
其他题名	用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构
	罗伯特·M·法雷尔; 马修·T·哈迪; 太田裕朗; 斯蒂芬·P·登巴尔斯; 詹姆斯·S·斯佩克; 中村修二
	2012-05-23
专利权人	加利福尼亚大学董事会
公开日期	2012-05-23
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。
其他摘要	一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。
主权项	一种半导体光电子装置，其包含：非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，其包括： (i)波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制，和 (ii)一个或多个n型掺杂的含铝层，其在所述波导核心上或下方。
申请日期	2010-07-09
专利号	CN102473799A
专利状态	失效
申请号	CN201080031095.3
公开（公告）号	CN102473799A
IPC 分类号	H01L33/02
专利代理人	章蕾
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66691
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	加利福尼亚大学董事会
推荐引用方式 GB/T 7714	罗伯特·M·法雷尔,马修·T·哈迪,太田裕朗,等. 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构. CN102473799A[P]. 2012-05-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102473799A.PDF（2008KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文