窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

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	窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
其他题名	窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
	小崎徳也; 中村修二
	2007-11-22
专利权人	日亜化学工業株式会社
公开日期	2008-02-06
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】サファイア基板を除去してもGaN基板に反り、割れ、及び欠けなどが発生するのを防止し、容易にウエハをチップ化できると共に、劈開の際のGaN基板の不要な割れを防止することができ、更に放熱性の良好な窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】第1の異種基板上にGaN基板2を形成し、その上に素子構造3を積層した後又は積層する前に、第1の異種基板を取り除き露出されたGaN基板面に劈開性の第2の異種基板4を接合する。又は80μm以上のGaN基板2を形成し第1の異種基板を除去し露出した面とは反対側の面に素子構造3を形成し、第2の異種基板4を接合させない。
其他摘要	要解决的问题：为了提供具有令人满意的散热性能的氮化物半导体元件及其制造方法，其中防止在GaN衬底中发生翘曲，裂缝和碎屑，即使去除蓝宝石衬底，也可以容易地制造晶片形成芯片，并且在切割时保护GaN衬底免受不必要的破裂。解决方案：在第一异种衬底上形成GaN衬底2，在元件结构3层叠在其上之后或之前去除第一异种衬底，并且将第二异种可切割衬底4接合到GaN衬底2的暴露部分。或者，GaN基板2形成为80μm或更厚的厚度，去除第一异种基板，元件结构3形成在与暴露部分相对的表面上，并且第二异种基板4不接合。
申请日期	1998-01-23
专利号	JP4043087B2
专利状态	失效
申请号	JP1998011590
公开（公告）号	JP4043087B2
IPC 分类号	H01L \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/10 \| H01L21/205 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/00 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/20
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/71418
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日亜化学工業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	小崎徳也,中村修二. 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子. JP4043087B2[P]. 2007-11-22.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4043087B2.PDF（74KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文