Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体素子 |
| 長濱 慎一; 中村 修二 | |
| 2006-09-22 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2006-12-13 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 主として青色〜緑色領域のレーザ素子を実現すると共に、レーザ素子の高出力化を実現する。 【構成】 n層とp層との間に、Inを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する活性層を備えた窒化物半導体素子において、n層、若しくはp層の少なくとも一方に、井戸層のIn量よりも少ないIn量の窒化物半導体層を有する超格子層を備える活性層を成長させることにより、超格子層の上に成長させる活性層、クラッド層の結晶性が良くなり長波長の素子を得ることができる。また、超格子はn層、p層両方に設け、超格子に不純物を変調ドープすることが望ましい。 |
| 其他摘要 | [目的]主要在蓝绿区域实现激光元件，实现激光元件的高输出。 在包括有源层的氮化物半导体器件中，所述有源层具有由包含n层和p层之间的In的氮化物半导体制成的阱层，在n层和p层中的至少一层中，阱层通过生长包括具有In含量小于In量的氮化物半导体层的超晶格层的有源层，改善了在超晶格层上生长的有源层和包层的结晶度，以及长波器件可以获得。另外，期望在n层和p层中都提供超晶格，并且调制超晶格并掺杂杂质。 |
| 申请日期 | 1998-05-13 |
| 专利号 | JP3857417B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998129810 |
| 公开（公告）号 | JP3857417B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01S5/343 | H01S5/323 | H01L33/06 | H01L33/00 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 小野 由己男 | 堀川 かおり |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75784 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長濱 慎一,中村 修二. 窒化物半導体素子. JP3857417B2[P]. 2006-09-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3857417B2.PDF（75KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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