Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 川野 義弘; 中村 修二 | |
| 2010-02-19 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2010-04-28 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 垂直横モードの単一化が可能でファーフィールドパターンが良好な窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 素子構造を有する側とは反対の窒化物半導体基板5裏面の少なくともリッジ形状のストライプ201の真下であって且つ平行に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜202が形成されてなる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供一种氮化物半导体激光器件，能够单独垂直横向模式并具有良好的远场图案。 一种激光器，其在氮化物半导体衬底5的与具有元件结构的一侧相对的背面上至少具有脊形条纹宽度和至少脊形条纹宽度，并且至少与脊形条带201平行。形成能够吸收从波导泄漏的激光振荡波长的光的光吸收膜202。 |
| 申请日期 | 1998-09-22 |
| 专利号 | JP4457417B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1998267759 |
| 公开（公告）号 | JP4457417B2 |
| IPC 分类号 | H01L33/34 | H01L33/36 | H01S5/323 | H01S5/30 | H01L33/06 | H01L33/44 | H01L33/32 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81365 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 川野 義弘,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP4457417B2[P]. 2010-02-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4457417B2.PDF（123KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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