Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 窒化物半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| 小崎 徳也; 中村 修二 | |
| 2010-11-19 | |
| 专利权人 | 日亜化学工業株式会社 |
| 公开日期 | 2011-02-02 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【課題】 素子の劣化を防止して寿命特性が良好となる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。 【解決手段】 活性層6が、障壁層の膜厚が100オングストローム以上で、且つ井戸層の膜厚に対する障壁層の膜厚の比が[井戸層の膜厚:障壁層の膜厚]=[1:3〜10]である量子井戸構造である。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：为了防止氮化物半导体激光元件通过依次形成n型氮化物半导体而劣化，具有特定膜厚的阻挡层和含有特定膜厚的阱层的量子阱结构的有源层In和基板上的p型氮化物半导体。解决方案：n型接触层2，防裂层3，包括AlGaN的n型多层包覆层4，未掺杂GaN的n型引导层5，包括a的量子阱结构的有源层6在氮化物半导体衬底1上依次形成阻挡层和阱层，以及AlGaN的p型电子陷阱层7.有源层6具有量子阱结构，该阱阱包括含有In的阱层和具有带的势垒层间隙能量高于阱层。在有源层6的量子阱结构中，阻挡壁层具有100和/或更大的膜厚度，并且阱层和阻挡层之间的膜厚比优选为1：3至1:10，1：4比1：7。 |
| 申请日期 | 1999-07-27 |
| 专利号 | JP4625998B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999212851 |
| 公开（公告）号 | JP4625998B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01S5/323 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87797 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亜化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小崎 徳也,中村 修二. 窒化物半導体レーザ素子. JP4625998B2[P]. 2010-11-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP4625998B2.PDF（100KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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