Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 | |
| 其他题名 | 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器 |
| D·A·科恩; S·P·邓巴尔思; 中村修二 | |
| 2013-06-12 | |
| 专利权人 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 公开日期 | 2013-06-12 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。 |
| 其他摘要 | 一种制造(Al、Ga、In)N激光二极管的方法，包括在第一温度下在生长衬底上沉积一个或多个III-N层，在第二温度下在第一温度沉积的层上沉积含铟激光器核心，在抑制激光器核心劣化的条件下进行所有随后的制造步骤，其中该条件是基本上低于第二温度的温度。 |
| 申请日期 | 2009-06-01 |
| 专利号 | CN102099976B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200980128483.0 |
| 公开（公告）号 | CN102099976B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 赵蓉民 | 陆惠中 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/50484 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | D·A·科恩,S·P·邓巴尔思,中村修二. 在降低的温度下制造的(Al、Ga、In)N二极管激光器. CN102099976B[P]. 2013-06-12. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN102099976B.PDF（1417KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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