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二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05
发明人:  大谷茂树;  木下博之;  松波弘之;  须田淳;  天野浩;  赤崎勇;  上山智
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氮化物半导体器件制造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1170347C, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2004-10-06
发明人:  木户口勋;  石桥明彦;  粂雅博;  伴雄三郎;  上山智
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半導体発光素子及び半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3252779B2, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2002-02-04
发明人:  上山 智;  鈴木 政勝;  上野山 雄;  大仲 清司;  高森 晃;  萬濃 正也;  木戸口 勲;  足立 秀人;  石橋 明彦;  福久 敏哉;  熊渕 康仁
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半導体レーザおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
发明人:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3206316B2, 申请日期: 2001-07-06, 公开日期: 2001-09-10
发明人:  上山 智;  大仲 清司;  上野山 雄;  鈴木 政勝
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半導體雷射元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW413972B, 申请日期: 2000-12-01, 公开日期: 2000-12-01
发明人:  上山智;  木戶口勳;  伴雄三郎;  長谷川義晃;  宮永良子;  村步;  雅博;  辻村步;  粂雅博
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半導体レ—ザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000077795A, 申请日期: 2000-03-14, 公开日期: 2000-03-14
发明人:  粂 雅博;  伴 雄三郎;  服藤 憲司;  木戸口 勲;  上山 智;  辻村 歩;  宮永 良子;  石橋 明彦;  長谷川 義晃
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半導体レーザ装置の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068599A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人:  粂 雅博;  伴 雄三郎;  木戸口 勲;  上山 智;  辻村 歩;  石橋 明彦;  長谷川 義晃;  宮永 良子
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半導体レ—ザ装置及びそれを用いた光ディスク装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000068610A, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-03-03
发明人:  足立 秀人;  木戸口 勲;  上山 智;  上野山 雄;  萬濃 正也;  福久 敏哉
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半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000058965A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
发明人:  粂 雅博;  木戸口 勲;  伴 雄三郎;  上山 智;  辻村 歩;  石橋 明彦;  長谷川 義晃;  宮永 良子
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