半導体レ—ザ装置

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	半導体レ—ザ装置
其他题名	半導体レ—ザ装置
	粂雅博; 伴雄三郎; 服藤憲司; 木戸口勲; 上山智; 辻村歩; 宮永良子; 石橋明彦; 長谷川義晃
	2000-03-14
专利权人	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
公开日期	2000-03-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】紫外領域においても低しきい値で且つ温度特性が優れる半導体レーザ装置を実現できるようにする。【解決手段】サファイアからなる基板11上に、n型GaNからなるn型コンタクト層13と、n型Al0.35Ga0.65Nからなるn型クラッド層14とが形成されている。n型クラッド層14上には、Al0.2 Ga0.8 N/Al0.25Ga0.75Nからなる多重量子井戸活性層15と、p型Al0.5 Ga0.5 N0.975 P0.025 からなるp型リークバリア層16と、p型Al0.4 Ga0.6 N0.98P0.02からなるp型クラッド層17とが順次形成されている。p型リークバリア層16のエネルギーギャップはn型クラッド層14よりも大きく、且つ、p型リークバリア層16及びp型クラッド層17は、エネルギーギャップを大きく維持しながらアクセプタ準位を浅くできるリンが添加されていることを特徴とする。
其他摘要	要解决的问题：实现即使在紫外区域也具有低阈值和优异温度特性的半导体激光器件。在蓝宝石基板11的，由n型GaN构成的n型接触层13，n型Al 0.35 GA 0.65 n型包覆选自N形成层14。在n型包覆层14由Al 0.2 GA 0.8 N /铝 0.25 GA 0.75 N中的多量子阱活性层15，p型Al 0.5 GA 0.5 名词 0.975 p 0.025 ，p型Al 0.4 GA 0.6 名词 0.98 p 0.02 在p型包覆层17上依次形成。 p型泄漏阻挡层16的能隙比n型包层14大，并且，p型泄漏阻挡层16和p型包覆层17，磷能够浅受主能级，同时保持能隙大并且其特征在于它被添加。
申请日期	1999-06-17
专利号	JP2000077795A
专利状态	失效
申请号	JP1999170509
公开（公告）号	JP2000077795A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/20 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	前田弘 (外1名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/74864
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,伴雄三郎,服藤憲司,等. 半導体レ—ザ装置. JP2000077795A[P]. 2000-03-14.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000077795A.PDF（98KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文