半導体レーザ装置の製造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置の製造方法
其他题名	半導体レーザ装置の製造方法
	粂雅博; 伴雄三郎; 木戸口勲; 上山智; 辻村歩; 石橋明彦; 長谷川義晃; 宮永良子
	2000-03-03
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2000-03-03
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】基板と該基板上に成長する半導体層との各劈開面が異なる場合であっても、半導体層に良好な共振器ミラー面を得られるようにする。【解決手段】 C面を持つサファイアからなる基板11上にGaNからなるバッファ層12を成長させる。次に、バッファ層12上にSiO2からなるマスク形成膜を堆積した後、マスク部の幅が約100μmで開口部の幅が約0.9mmとなる帯状のパターニングを行なって、マスク形成膜からマスクパターン13を形成する。次に、バッファ層12の上にマスクパターン13を含む全面にわたって、n型GaNからなるn型コンタクト形成層14、n型Al0.1Ga0.9Nからなるn型クラッド層15、In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98Nからなる多重量子井戸活性層16、及びp型Al0.1Ga0.9Nからなるp型クラッド層17を順次成長させる。
其他摘要	甲即使生长在衬底上和不同的衬底上的半导体层的每一个的解理面，因此对于良好谐振器镜表面半导体层。由GaN制成的缓冲层生长在由具有C面的蓝宝石制成的基板上。然后，在沉积由SiO的掩模形成膜之后 2 缓冲层12，经受约100微米的掩模部分的开口宽度的带材宽度的图案化上是0.9mm左右掩模图案13由掩模形成膜形成。然后，在整个表面上，包括在缓冲层12上的掩模图案13，n型由n型GaN构成的接触层14，n型Al 0.1 GA 0.9 Ñ制成，在 0.15 GA 0.85 N /在 0.02 GA 0.98 n个复用的n型包层15量子阱活性层16和p型Al 0.1 GA 0.9 顺序地生长由N的p型覆层17
申请日期	1998-08-20
专利号	JP2000068599A
专利状态	失效
申请号	JP1998233866
公开（公告）号	JP2000068599A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S5/323 \| H01S5/343 \| H01L33/12 \| H01L33/06 \| H01L33/32 \| H01S5/00 \| H01L33/00
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80316
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,伴雄三郎,木戸口勲,等. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2000068599A[P]. 2000-03-03.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000068599A.PDF（102KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文