二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法

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	二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
其他题名	二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法
	大谷茂树; 木下博之; 松波弘之; 须田淳; 天野浩; 赤崎勇; 上山智
	2005-10-05
专利权人	独立行政法人物质・材料研究机构
公开日期	2005-10-05
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2 (其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10－10)面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
其他摘要	一种具有与氮化物系化合物半导体的劈开面相同的劈开面且具有导电性的二硼化物单晶衬底和使用它的半导体激光二极管与半导体装置以及它们的制造方法，其中所述二硼化物单晶衬底为二硼化物XB2 (其中，X为Zr或Ti)单晶衬底1，其特征在于：二硼化物XB2单晶衬底1的面取向为(0001)面2且衬底的厚度设定为0.1mm或以下。另外，沿(10－10)面4的劈开和分割能够轻易地进行。使用该衬底，如果形成基于氮化物系化合物的半导体激光二极管等，则能够实现纵向构造元件。在分割元件时，通过沿(10－10)面进行分割，便能够形成损耗较少的半导体激光二极管的谐振面，并能够实现没有因切断余量引起的损耗的制造方法。
主权项	一种二硼化物单晶衬底，其是二硼化物XB2的单晶衬底，其中X为Zr或Ti，其特征在于：该二硼化物单晶衬底的面取向为(0001)面，且将衬底的厚度设定为0.1mm或以下。
申请日期	2003-08-21
专利号	CN1678772A
专利状态	失效
申请号	CN03820514.9
公开（公告）号	CN1678772A
IPC 分类号	C30B29/10 \| C30B33/00 \| H01L21/20 \| H01L21/331 \| H01L29/04 \| H01L29/24 \| H01L29/737 \| H01L29/93 \| H01L31/0264 \| H01L31/10 \| H01L33/14 \| H01L33/32 \| H01S5/02 \| H01S5/323 \| H01L29/12
专利代理人	陈建全
代理机构	永新专利商标代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65376
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	独立行政法人物质・材料研究机构
推荐引用方式 GB/T 7714	大谷茂树,木下博之,松波弘之,等. 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法. CN1678772A[P]. 2005-10-05.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1678772A.PDF（1583KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文