半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
其他题名	半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
	粂雅博; 木戸口勲; 伴雄三郎; 上山智; 辻村歩; 石橋明彦; 長谷川義晃; 宮永良子
	2000-02-25
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2000-02-25
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	【課題】低抵抗化を図る半導体レーザ素子のジャンクションダウン·ボンディングを容易に且つ確実に行なえるようにし、また、基板の劈開時のリッジ部を保護できるようにする。【解決手段】基板11のエピタキシャル層における中央部には、n型半導体層12、活性層13及びp型半導体層14を含む凸状部からなる共振器形成部が形成されている。共振器形成部におけるp型半導体層14の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部14aが形成されている。共振器形成部の側方であって、n型半導体層12の露出部には、Ti/Alからなるn側電極16が形成されている。n側電極16のp側電極15側の領域、並びにp側電極15を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれSiNからなる絶縁膜17に覆われている。
其他摘要	要解决的问题：能够轻松可靠地将半导体激光器元件结合在一起，以实现低电阻，并在基板开裂时保护脊部。包括凸起部分的谐振器形成部分，包括n型半导体层，有源层和p型半导体层形成在衬底的外延层的中心部分中。在谐振器形成部分中的p型半导体层14的上部，形成具有以条形突出的中央部分的脊部分14a。在谐振器形成部分侧的n型半导体层12的暴露部分上形成由Ti / Al制成的n侧电极16。 n侧电极16的p侧电极15侧的区域和除了p侧电极15之外的谐振器形成部分的顶表面和侧表面覆盖有由SiN制成的绝缘膜17。
申请日期	1998-08-17
专利号	JP2000058965A
专利状态	失效
申请号	JP1998230608
公开（公告）号	JP2000058965A
IPC 分类号	H01S5/30 \| H01S \| H01S5/323 \| H01S5/042 \| H01S5/00
专利代理人	前田弘 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87949
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	粂雅博,木戸口勲,伴雄三郎,等. 半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子. JP2000058965A[P]. 2000-02-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2000058965A.PDF（71KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文