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一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104795730B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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溶胶凝胶法制备WS_2-SiO_2可饱和吸收体的探究 期刊论文
人工晶体学报, 2017, 期号: 01, 页码: 85-93
作者:  林涛;  孙航;  李晶晶;  张天杰;  郭恩民;  孙锐娟;  王茜;  李璐;  王勇刚;  段玉鹏
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Material research on the InGaAs-emitting-layer VECSEL grown on GaAs substrate 期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2016, 卷号: 42, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Ruijuan;  Sun, Hang;  Guo, Enmin;  Duan, Yupeng;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu;  Wang, Yonggang;  Lin, T
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Vecsel  Movpe  Ingaas  
利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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