一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法

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	一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法
其他题名	一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法
	林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟
	2018-04-10
专利权人	上海星地通讯工程研究所
公开日期	2018-04-10
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，具有更好的光场限制效果。本发明还公开了一种制作上述基模半导体激光器的方法，制作工艺简单，且具有更好的光场限制效果。
其他摘要	本发明公开了一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，激光器所用外延片结构由从下至上依次设置的衬底，缓冲层，下限制层，下波导层，量子阱和量子垒区，上波导层，上限制层和上欧姆接触层组成；基模半导体激光器结构的上欧姆接触层的上表面设置有脊型波导，脊型波导位于基模半导体激光器的纵向中心线上，脊型波导的两端均设置有非吸收窗口，非吸收窗口与激光器的出腔面重合，脊型波导的两侧还设置有隔离沟槽，非吸收窗口和隔离沟槽下量子阱中形成禁带宽度变宽的区域，本发明的利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器，具有更好的光场限制效果。本发明还公开了一种制作上述基模半导体激光器的方法，制作工艺简单，且具有更好的光场限制效果。
授权日期	2018-04-10
申请日期	2015-04-10
专利号	CN104795730B
专利状态	授权
申请号	CN201510170072.5
公开（公告）号	CN104795730B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	李娜
代理机构	西安弘理专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40672
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	上海星地通讯工程研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	林涛,张浩卿,孙航,等. 一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法. CN104795730B[P]. 2018-04-10.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104795730B.PDF（121KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文