利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法

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	利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法
其他题名	利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法
	林涛; 张浩卿; 孙航; 郭恩民; 孙锐娟
	2015-07-01
专利权人	西安理工大学
公开日期	2015-07-01
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口，非吸收窗口的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域的两端处形成折射率光波导区域。本发明还公开了该种半导体激光器的制作方法。本发明解决了现有技术中采用量子阱混杂技术制作非吸收窗口后，无法避免发光区侧面光学限制和发光区外漏电流的问题。
其他摘要	本发明公开了利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口，非吸收窗口的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域的两端处形成折射率光波导区域。本发明还公开了该种半导体激光器的制作方法。本发明解决了现有技术中采用量子阱混杂技术制作非吸收窗口后，无法避免发光区侧面光学限制和发光区外漏电流的问题。
主权项	利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，其特征在于，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域(9)，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非吸收窗口(10)，非吸收窗口(10)的深度超过外延片中的有源区，第二部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器条形发光区域(9)的两端形成折射率光波导区域。
申请日期	2015-03-23
专利号	CN104752954A
专利状态	授权
申请号	CN201510128470.0
公开（公告）号	CN104752954A
IPC 分类号	H01S5/34
专利代理人	李娜
代理机构	西安弘理专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/64959
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	西安理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	林涛,张浩卿,孙航,等. 利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法. CN104752954A[P]. 2015-07-01.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104752954A.PDF（679KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文