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一种利用量子阱混杂制作的基模半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104795730B, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN104752954A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
发明人:  林涛;  张浩卿;  孙航;  郭恩民;  孙锐娟
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Research on the high indium content InGaAs multiple quantum wells wafers for lambda > 1.55 mu m laser diodes 期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 631, 页码: 283-287
作者:  Lin, Tao;  Sun, Hang;  Zhang, Haoqing;  Wang, Yonggang;  Lin, Nan;  Ma, Xiaoyu
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Laser Diode  Mocvd  Gaas  Inp  
无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状 期刊论文
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 3, 页码: 24-33
作者:  林涛;  孙航;  张浩卿;  林楠;  马骁宇;  王勇刚
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基于SiO_2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文） 期刊论文
激光与光电子学进展, 2015, 期号: 2, 页码: 195-199
作者:  林涛;  张浩卿;  孙航;  王勇刚;  林楠;  马骁宇
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带有非吸收窗口的大功率半导体激光器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102891435A, 申请日期: 2013-01-23, 公开日期: 2013-01-23
发明人:  林涛;  张浩卿;  马新尖;  李超;  林楠
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