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面発光半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3469051B2, 申请日期: 2003-09-05, 公开日期: 2003-11-25
发明人:  竹ノ内 弘和;  舘野 功太;  大礒 義孝;  伊藤 義夫;  天野 主税;  黒川 隆志
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面発光半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3243772B2, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2002-01-07
发明人:  田所 貴志;  大礒 義孝;  黒川 隆志
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光スイッチアレイ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3228384B2, 申请日期: 2001-09-07, 公开日期: 2001-11-12
发明人:  松尾 慎治;  黒川 隆志;  中原 達志;  福島 誠治;  小濱 剛孝;  大礒 義孝
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面発光半導体レーザ製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3147328B2, 申请日期: 2001-01-12, 公开日期: 2001-03-19
发明人:  大礒 義孝;  黒川 隆志
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長波長帯面発光半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3123030B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-09
发明人:  大磯 義孝;  小濱 剛孝;  田所 貴志;  黒川 隆志
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面発光半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3097938B2, 申请日期: 2000-08-11, 公开日期: 2000-10-10
发明人:  大礒 義孝;  小濱 剛孝;  黒川 隆志
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短パルス光源 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1999346023A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14
发明人:  津田 裕之;  竹ノ内 弘和;  黒川 隆志;  神徳 正樹
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半導体薄膜及びその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1998261839A, 申请日期: 1998-09-29, 公开日期: 1998-09-29
发明人:  舘野 功太;  大磯 義孝;  天野 主税;  若日 温;  黒川 隆志
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光レジスタメモリ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2793381B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
发明人:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行
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出力波長可変型光レジスタメモリ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2793382B2, 申请日期: 1998-06-19, 公开日期: 1998-09-03
发明人:  津田 裕之;  黒川 隆志;  岩村 英俊;  植之原 裕行
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