面発光半導体レーザ製造方法

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	面発光半導体レーザ製造方法
其他题名	面発光半導体レーザ製造方法
	大礒義孝; 黒川隆志
	2001-01-12
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	2001-03-19
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】直接接着法を用いた電流狭窄構造を有する面発光レーザを提供する。【解決手段】面発光レーザ製造方法は、第1の導電型を有するGaAs基板10上に第1の光反射鏡11としてのエピタキシャル成長と、InP基板17上にクラッド層14,活性層15,第2の導電型を有するクラッド層16からなる積層構造と、第2の導電型を有するGaAs基板19に第2の光反射鏡18としてのエピタキシャル成長とをそれぞれ形成してなり、前記第1の光反射鏡11であるエピタキシャル成長に酸素を閉領域を残してイオン注入12し、前記第1の反射鏡11と前記InP基板17上の積層構造とを密着させ加熱·接着させ、前記接着する工程を経た前記積層構造から前記InP基板17を除去し、前記InP基板17が除去された前記積層構造と前記第2の光反射鏡18とを密着させ、加熱·接着する工程からなる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种方法，通过该方法可以通过使用直接粘贴方法制造具有电流限制结构的表面发射型半导体激光器。解决方案：一种制造表面发射型激光器件的方法，包括在第一导电性的GaAs衬底10上外延生长第一光反射镜11，形成由包层14，有源层15组成的叠层结构，在InP衬底17上具有第二导电性的包层和在具有第二导电性的GaAs衬底上外延生长第二光反射镜18。在第一反射镜11的外延生长中，将离子注入到封闭区域中，同时将氧气留在封闭区域中，并且从通过粘附工艺构成的层叠结构中移除InP基板17，通过/紧密地粘附反射镜11到基板17上的层叠结构，通过加热镜子11和结构将镜子11粘在结构上，然后，去除基板17的层叠结构紧密地粘附在第二镜子18上，结构粘在镜子18通过加热结构和镜子18。
申请日期	1995-10-18
专利号	JP3147328B2
专利状态	失效
申请号	JP1995269585
公开（公告）号	JP3147328B2
IPC 分类号	H01S5/02 \| H01S5/42 \| H01S \| H01S5/026 \| H01S5/00 \| H01S5/183
专利代理人	光石俊郎 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47655
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	大礒義孝,黒川隆志. 面発光半導体レーザ製造方法. JP3147328B2[P]. 2001-01-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3147328B2.PDF（43KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文