Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 光スイッチアレイ | |
| 其他题名 | 光スイッチアレイ |
| 松尾 慎治; 黒川 隆志; 中原 達志; 福島 誠治; 小濱 剛孝; 大礒 義孝 | |
| 2001-09-07 | |
| 专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 公开日期 | 2001-11-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 消光比が大きく、高速な応答速度を有する光スイッチアレイを実現する。 【構成】 光スイッチアレイは、入力信号を電気信号に変換する受光部30と、その電気信号を増幅する増幅部20と、その増幅された電気信号により出力光を発振する垂直共振器型面発光レーザからなる出力部10とから成る光スイッチが、モノリシックに基板上に構成されている。受光部はMSMフォトダイオード32を有し、増幅部はFET22を有し、ドレイン28は光変調部に接続し、ゲート26は接点36で受光部に接続している。MSMフォトダイオードを2個以上使用するときは直列接続でも並列接続でもよい。 |
| 其他摘要 | 目的：通过在基板上构成由光敏部件，放大部件和由垂直谐振器型表面发光激光器单片形成的输出部件构成的光开关，实现具有大淬火比和快速响应速度的光开关阵列。组成：在半绝缘GaAs衬底101上形成一层由i-GaAs光吸收层102，n - GaAs沟道层103和n + - GaAs接触层104组成的层作为光敏部件和放大部分。此外，由包括作为蚀刻停止层的InGaP层105的表面发光层，通过交替形成30个周期的n-AlAs / n-AlGaAs构成的n-DBR层106作为光调制部分构成的层，i-AlGaAs有源层107，通过分子束外延形成交替形成25个周期的P-AlAs / p-AlGaAs构成的p-DBR层108。处理形成的晶片并制备灯开关。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1993-12-24 |
| 专利号 | JP3228384B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1993328360 |
| 公开（公告）号 | JP3228384B2 |
| IPC 分类号 | H01L | H01S | H01L27/15 | H01S5/026 | H01S5/00 | H01S5/183 |
| 专利代理人 | 谷 義一 (外1名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44417 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松尾 慎治,黒川 隆志,中原 達志,等. 光スイッチアレイ. JP3228384B2[P]. 2001-09-07. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3228384B2.PDF（72KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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