Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
長波長帯面発光半導体レーザ | |
其他题名 | 長波長帯面発光半導体レーザ |
大磯 義孝; 小濱 剛孝; 田所 貴志; 黒川 隆志 | |
2000-10-27 | |
专利权人 | 日本電信電話株式会社 |
公开日期 | 2001-01-09 |
授权国家 | 日本 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 【目的】 InPと格子定数の異なるIII -V族半導体で構成した長波長帯面発光半導体レーザを提供することにある。 【構成】 本発明は、バッファ層と格子整合するIII -V族半導体により面発光半導体レーザ構造を構成することを特徴とする。 |
其他摘要 | [目的]提供一种长波段表面发射半导体激光器,其由具有不同InP晶格常数的III-V族半导体组成。 本发明的特征在于构成具有与缓冲层晶格匹配的III-V族半导体的表面发射半导体激光器结构。 |
授权日期 | 2000-10-27 |
申请日期 | 1992-10-19 |
专利号 | JP3123030B2 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | JP1992279701 |
公开(公告)号 | JP3123030B2 |
IPC 分类号 | H01S5/42 | H01S | H01S5/00 | H01S5/183 |
专利代理人 | 光石 忠敬 (外2名) |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42375 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 大磯 義孝,小濱 剛孝,田所 貴志,等. 長波長帯面発光半導体レーザ. JP3123030B2[P]. 2000-10-27. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
JP3123030B2.PDF(45KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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