光レジスタメモリ

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	光レジスタメモリ
其他题名	光レジスタメモリ
	津田裕之; 黒川隆志; 岩村英俊; 植之原裕行
	1998-06-19
专利权人	日本電信電話株式会社
公开日期	1998-09-03
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【目的】入射光波長に対する光レジスタメモリの感度特性を緩和すると同時に特性の良いレーザと光ゲートを集積した光レジスタメモリを提供する。【構成】多電極のDFB型又はDBR型双安定半導体レーザB1を有する光レジスタメモリであって、前記可飽和吸収部L2に垂直又は所定角度を持って交差する光導波路G1を有し、双安定半導体レーザの片端に光ゲート部G2を設ける。前記光導波路の上面又は下面から光を導波路に結合するグレーティング108あるいはミラー構造を付加する。前記双安定半導体レーザは、活性層104に多重量子井戸(MQW)構造を用いる。【効果】光パルス入力に対しての書き込み時間、記憶時間、読みだし時間を任意にかつ容易に制御できるとともに、歪の少ない増幅された出力光パルスを得ることができる。入射波長依存性の小さい光レジスタメモリを構成することができる。
其他摘要	目的：提供一种光学寄存器存储器，其减少了入射光波长的灵敏度特性，并且集成了具有优异特性的激光器和光学门。组成：光学寄存器存储器提供有多电极DFB或DBR型双稳态半导体激光器B1，其中光波导G1设置成以可弯曲的吸收部分L2以直角或预定角度交叉，并且光学门G2是提供给双稳态半导体激光器B1的一端。提供光栅108或镜子结构，其从上方或下方将光与光波导G1耦合。双稳态半导体激光器B1设置有多量子阱结构的有源层104。通过这种设置，可以在写入时间，存储时间和光脉冲输入的读出时间中容易地和可选地控制该设计的光学寄存器存储器，并且可以获得较少失真和放大的光脉冲输出。可以获得入射波长依赖性小的光学寄存器存储器。
申请日期	1991-06-24
专利号	JP2793381B2
专利状态	失效
申请号	JP1991151237
公开（公告）号	JP2793381B2
IPC 分类号	G02F3/02 \| H01L \| H01S \| H01L27/10 \| H01L27/15 \| G02F \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	秋田収喜
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47567
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電信電話株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	津田裕之,黒川隆志,岩村英俊,等. 光レジスタメモリ. JP2793381B2[P]. 1998-06-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2793381B2.PDF（118KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文