Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体薄膜及びその製造方法 | |
| 其他题名 | 半導体薄膜及びその製造方法 |
| 舘野 功太; 大磯 義孝; 天野 主税; 若日 温; 黒川 隆志 | |
| 1998-09-29 | |
| 专利权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 公开日期 | 1998-09-29 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 GaAs(311)B面上に成長したp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)を含む半導体薄膜及びその製造方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 (311)B面を主面とするGaAs基板上に形成され、炭素がドーピングされたp型AlX Ga1-X As(x≧0.5)からなる。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：在Al元素上有利地沉积高AlGaAs多层膜，并设法通过一种方法制造器件来制造多层膜，其中p型AlGaAs膜掺杂有碳并被指定形成在以B面（311）为主表面的GaAs衬底上。解决方案：通过掺杂，在B面（311）上形成通过层叠P型Alx Ga1-x As / P型Aly Ga1-y As（x> = 0.5和y <0.5）层而构成的层叠结构。有机金属气相外延生长法中的碳。在该生长条件下，砷的分压量设定为小于面（100）的一半的量，P型GaAs基板1的温度高50~150。比表面（100）的温度更高，并且使用含卤素和碳掺杂的材料，例如CCl4和CBr。在这种情况下，通过有机金属气相生长法形成半导体膜，其中砷的分压与III族元素的分压的比率为1比10至60的比率和温度基板1的温度为700至800℃。由此，碳也在B面（311）上充分地作为受体起作用，并且可以在B面（311）上获得活化生长层。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1997-03-19 |
| 专利号 | JP1998261839A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997065772 |
| 公开（公告）号 | JP1998261839A |
| IPC 分类号 | H01L29/201 | H01S5/00 | H01L21/205 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 光石 俊郎 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/63988 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舘野 功太,大磯 義孝,天野 主税,等. 半導体薄膜及びその製造方法. JP1998261839A[P]. 1998-09-29. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998261839A.PDF（32KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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