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基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100447945C, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2008-12-31
发明人:  徐军;  章蓓;  张振生;  代涛
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基于一维光子晶体的腔结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1829014A, 申请日期: 2006-09-06, 公开日期: 2006-09-06
发明人:  章蓓;  徐军;  张振生
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