基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法

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	基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
其他题名	基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法
	徐军; 章蓓; 张振生; 代涛
	2008-12-31
专利权人	北京大学
公开日期	2008-12-31
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
其他摘要	本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法，它包括以下三个主要步骤：计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求，为FIB加工条件的选择提供依据；对所需加工的半导体激光二极管进行加工前处理准备。包括电接触和机械稳定性等方面的处理；根据加工要求确定合适的FIB加工条件并设计出合理的加工次序进行加工。这包括：离子束束流大小的选择；沉积保护层材料及厚度的选择；辅助刻蚀槽的设计和加工；放大倍数的选择及刻蚀图形的设计；半导体/空气(DBR)结构成型的刻蚀条件及刻蚀后处理方法等。
授权日期	2008-12-31
申请日期	2005-12-13
专利号	CN100447945C
专利状态	失效
申请号	CN200510126469.0
公开（公告）号	CN100447945C
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L21/3065 \| H01L33/00 \| H01S5/10 \| H01S5/22
专利代理人	俞达成
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/40878
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	徐军,章蓓,张振生,等. 基于聚焦离子束技术深刻蚀一维光子晶体的方法. CN100447945C[P]. 2008-12-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100447945C.PDF（542KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文