高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法

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	高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
其他题名	高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法
	康香宁; 章蓓; 陈勇; 包魁; 徐科; 张国义; 陈志忠; 胡晓东
	2006-12-06
专利权人	北京大学
公开日期	2006-12-06
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。
其他摘要	本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案，提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构，具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜，间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的微结构，例如具有结构或粗糙化的微图形，光子晶体结构等，通过在出光面上引入这种表面微结构，使得光在出射介质的界面面积得到增加，增加后的表面呈现为大量方向无序排列的小区域。造成光线在有源区和介质的界面上一定程度上是随机出射的。这样可以通过改善出射光的出射方向，增加出射几率，进一步提高发光二极管的光提取效率和外量子效率。
申请日期	2005-06-03
专利号	CN1874012A
专利状态	失效
申请号	CN200510073285.2
公开（公告）号	CN1874012A
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01L51/50 \| H01S5/00
专利代理人	俞达成
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90408
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	北京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	康香宁,章蓓,陈勇,等. 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法. CN1874012A[P]. 2006-12-06.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN1874012A.PDF（563KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文