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无外部调相器件的主动锁相多光纤激光器及相干组束方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100589293C, 申请日期: 2010-02-10, 公开日期: 2010-02-10
发明人:  宁提纲;  胡旭东;  祁春慧;  郑晶晶;  刘艳;  谭中伟;  裴丽;  童治;  陈根祥;  延凤平
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一维线聚焦聚光光伏发电装置 专利
专利类型: 外观设计, 专利号: CN200820129657.8, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 2009-09-23
发明人:  汪 韬;  景 争;  高鸿楷
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光半导体元件 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100530867C, 申请日期: 2009-08-19, 公开日期: 2009-08-19
发明人:  中原宏治;  工藤真;  田中滋久;  白井正敬
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低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响 期刊论文
光子学报, 2009, 卷号: 38, 期号: 8, 页码: 1937-1940
作者:  吴雷学;  汪韬;  王警卫;  李晓婷;  景争;  尹飞;  梅书刚
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GaAs光导开关飞秒激光点触发实验及分析 期刊论文
光子学报, 2008, 卷号: 37, 期号: 12, 页码: 2383-2386
作者:  Jing Zheng(景争);  Wang Tao(汪韬);  Ruan Chi(阮驰);  Wang Jingwei(王警卫);  Wu Leixue(吴雷学)
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耐高压超快半导体光导开关 学位论文
: 中国科学院西安光学精密机械研究所, 2007
作者:  景争
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半导体光导开关  半导体工艺  Fs激光点触发  Gaas/inp  
決定化合物半導體層之臨界膜厚的方法、以及使用該決定方法來製造半導體裝置的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW423092B, 申请日期: 2001-02-21, 公开日期: 2001-02-21
发明人:  玉村好司;  本弘範;  長井政春;  池田昌夫
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半導體發光元件之製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: TW389012B, 申请日期: 2000-05-01, 公开日期: 2000-05-01
发明人:  加藤豪作;  野口裕泰;  長井政春
Adobe PDF(735Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:85/0  |  提交时间:2019/12/26